Samsung Exynos 3110 proti 4210 | Samsung Exynos 4210 proti 3110 Hitrost in zmogljivost
Ta članek govori o dveh nedavnih sistemih na čipih (SoC), ki ju je zasnoval in izdelal Samsung in sta namenjena ročnim napravam. V laičnem izrazu je SoC računalnik na enem IC (integrirano vezje, alias čip). Tehnično je SoC IC, ki združuje tipične komponente v računalniku (kot so mikroprocesor, pomnilnik, vhod/izhod) in druge sisteme, ki skrbijo za elektronske in radijske funkcije. Medtem ko je Samsung izdal Exynos 3110 junija 2010 s svojim Samsung Galaxy S, je njegov naslednik Exynos 4210 prišel leto kasneje, aprila 2011, ko je Samsung izdal Galaxy S2.
Običajno sta glavni komponenti SoC njegov CPE (centralna procesna enota) in GPE (grafična procesna enota). CPE v obeh Exynos 3110 in Exynos 4210 temeljijo na ARM (Advanced RICS – Reduced Instruction Set Computer – Machine, ki ga je razvil ARM Holdings) v7 ISA (Instruction Set Architecture, tista, ki se uporablja kot izhodišče za načrtovanje procesorja). Oba sistema SoC sta izdelana s polprevodniško tehnologijo, znano kot 45 nm.
Samsung Exynos 3110
Junija 2010 je Samsung v svojem Galaxy S prvič uporabil Exynos 3110. Prvotno zasnovo Samsung Exynos 3110 (aka Samsung S5PC110) sta skupaj razvila Samsung in Intrinsity (podjetje za oblikovanje čipov, ki ga je pozneje prevzel Apple) pod kodno ime Hummingbird. V času zasnove je Hummingbird veljal za SoC za naslednjo generacijo visoko zmogljivih ročnih naprav z nizko porabo energije. Iz istega razloga je Apple prilagodil CPE Hummingbird za svoj procesor Apple A4. Oblikovalci so uporabili ARM-ovo arhitekturo Cotex A8 za svoj CPE in PowerVR-jevo arhitekturo SGX540 za svoj GPE. Enojedrni procesor v Exynosu 3110 je uporabljal hierarhijo predpomnilnika L1 (navodila in podatki) in L2. SoC je bil običajno zložen s 512 MB DDR2 (sinhroni pomnilnik z naključnim dostopom z dvojno hitrostjo prenosa podatkov, različica 2 – DDR2 SDRAM), od katerih je GPE uporabil 128 MB kot svoj predpomnilnik. S to posebno (in čudno) konfiguracijo predpomnilnika je oblikovalec zahteval nepričakovano visoko grafično zmogljivost tega čipa.
Samsung Exynos 4210
Aprila 2011 je Samsung v svojem Galaxy S2 prvič uporabil Exynos 4210. Exynos 4210 je oblikoval in izdelal Samsung pod kodnim imenom Orion. Je naslednik Exynos 3110; torej v mnogih pogledih boljši od Exynos 3110. Oba procesorja, dvojedrna serija ARM Cotex A9 s taktom 1,2 GHz, in njegov grafični procesor, znamenita zasnova ARM Mali-400MP (4 jedra) s frekvenco 275 MHz, sta veliko boljša v primerjavi s tem, kar je bilo na voljo za Exynos 3110. Exynos 4210 je bil prvi SoC (ali bolje rečeno MPSoC – večprocesorski sistem na čipu), ki je uporabil ARM-ov Mali-400MP. Druga zanimivost za Exynos 4210 je njegova izvorna podpora za tri zaslone (trojni zasloni: 1xWXGA, 2xWSVGA), kar je zelo priročno za naprave, ki jih cilja Exynos 4210. Čip je bil opremljen s predpomnilnikom L1 (navodila in podatki) in L2. hierarhije in je imel vgrajen 1 GB DDR3 SDRAM.
Primerjava med Exynos 3110 in Exynos 4210 je prikazana spodaj.
|
Samsung Exynos 3110 |
Samsung Exynos 4210 | |
| Datum izdaje | junij 2010 | april 2011 |
| Type | SoC | MPSoC |
| Prva naprava | Samsung Galaxy S | Samsung Galaxy S2 |
| Druge naprave | Samsung Wave, Samsung Galaxy Tab, Google Nexus S | Ni na voljo |
| ISA | ARM v7 (32bit) | ARM v7 (32bit) |
| CPE | ARM Cotex A8 (enojno jedro) | ARM Cotex A9 (dvojedrni) |
| takt procesorja | 1GHz | 1,2GHz |
| GPE | PowerVR SGX540 | ARM Mali-400MP (4 jedra) |
| Hitrost GPU-ja | 400MHz (ni preverjeno) | 275MHz |
| CPE/GPU tehnologija | 45nm | 45nm |
| Predpomnilnik L1 | 32kB navodila, 32kB podatki | 32kB navodila, 32kB podatki |
| Predpomnilnik L2 | 512kB | 1MB |
| Spomin | 512 MB Low Power DDR2 (128 MB se uporablja za predpomnilnik GPU) – efektivno 384 MB | 1GB Low Power (LP) DDR3 |
Povzetek
Če povzamemo, Exynos 4210 je očitno boljši od Exynos 3110 (kar se pričakuje od kasnejše zasnove). Medtem ko je Exynos 3110 uporabljal enojedrni CPE in enojedrni GPE, Exynos 4210 uporablja dvojedrni CPE (ki ima višjo frekvenco v primerjavi s svojim predhodnikom) in večjedrni GPE. Poleg tega je opremljen z večjim predpomnilnikom L2 (512 kB v primerjavi z 1 MB) ter večjo (384 MB v primerjavi z 1 GB) in boljšo arhitekturo pomnilnika (DDR2 v primerjavi z DDR3).
